在絕緣基底上製備大麵積石墨烯

浦項科技大學的Hee Cheul Choi教授課題組通過低壓CVD實現了在絕緣基底（石英）上單層石墨烯的高質量製備。他們將銅箔與犧牲層SiO2/Si進行直接的物理接觸，目標石英基底則放置在銅箔的上方，最終形成石英/銅箔/SiO2/Si“三明治”夾層結構。直接物理接觸的銅箔和犧牲層在高溫下會產生大量銅蒸氣，並且被捕獲在石英和犧牲層之間，以催化石墨烯在絕緣基底上的直接生長。該法生長的石墨烯具有與常規銅箔CVD法所製備晶體相當的質量。

該項工作通過構築石英/銅箔/SiO2/Si的夾層結構實現在絕緣基底上高質量石墨烯的直接製備，無需複雜的轉移過程。此項工作拓寬了石墨烯的應用，也開發了使用氣相催化劑直接製備納米材料的生長方法，由此成功發表在了Angew. Chem. Int. Ed.上。

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